تقرير: جميع طرازات iPhone 16 ستحصل على نفس المعالج "3nm A18 Pro"
كشف جيف بو، المحلل هايتونج للأوراق المالية سيتم تشغيل جميع طرز iPhone الأربعة الجديدة لعام 2024 بنفس المعالج A18 برو والتي سيتم تصنيعها TSMC باستخدام عملية N3E 3 نانومتر من الجيل الثاني، إذا كان هذا صحيحًا، فهذا يعكس التغيير الذي قامت به الشركة تفاحة البدء بسلسلة ايفون 14 العام الماضي، بحسب Wccftech.
العام الماضي، ولأول مرة، لم تكن هناك شركة… تفاحة مجهزة بجميع الموديلات ايفون تم إصداره في نفس العام بنفس مجموعة الشرائح (لا تشمل ايفون اس اي)، وتم إعداده ايفون 14 برو وايفون 14 برو ماكس مع التكنولوجيا 4نانومتر A16 بيونيك الذي يحمل 16 مليار ترانزستور، ويعمل ايفون 14 وايفون 14 بلس بواسطة المعالج 5نانومتر A15 بيونيك والذي تم استخدامه في العام السابق في جميع موديلات السلسلة ايفون 13 الأربعة؛ وتحتوي كل شريحة على 15 مليار ترانزستور بداخلها، بحسب الموقع com.phonearena.
سيتم استخدام شرائح A18 برو في جميع الموديلات ايفون 16 ويقول المحلل إن هناك أربعة نماذج جديدة في العام المقبل، مضيفًا أن جميع النماذج ايفون 16 سوف تحصل على نفس المعالج 3نانومتر A18 برو في العام المقبل، سيتم استخدام الشرائح A18 برو في جميع الموديلات ايفون 16 الأربعة الجدد قادمون في العام المقبل.
سيتم تصنيعها A18 برو العام القادم بحلول TSMC باستخدام عقدة عملية 3 نانومتر من الجيل الثاني تسمى N3Eومن المفترض أن تسمح TSMC من خلال زيادة معدل الإنتاج إلى إنتاج 3 نانومتر، يكون العائد هو النسبة المئوية للقوالب التي تمر عبر مراقبة الجودة مقارنة بإجمالي العدد المحتمل للقوالب التي يمكن صنعها على رقاقة سيليكون واحدة، عادةً ما تكون الشركة التي توفر تصميم الرقاقة، في هذا حالة الشركة تفاحةهو المسؤول عن القوالب المعيبة.
ومع ذلك، كونه أكبر عميل للشركة TSMCلقد سمحت للشركة تفاحة من خلال التوقيع على صفقة رائعة للدب هذا العام TSMC المسؤولية المالية عن الرقائق التي لا يمكن استخدامها، ولن تمتد هذه الصفقة إلى عقدة عاملة N3Eمقارنة بعقدة العملية ن3ب الحالي الذي تستخدمه TSMC لبناء A17 برويجب أن تؤدي عملية الجيل الثاني إلى زيادة كفاءة استخدام الطاقة للخط ايفون 16.
تُستخدم عقد العمليات هذه الأيام للتمييز بين الأجيال المختلفة من المعالجات. مع انخفاض عقد العملية، تنخفض أحجام الترانزستورات، مما يسمح بتثبيت المزيد من الترانزستورات داخل الشريحة. كلما زاد عدد الترانزستورات في الشريحة، زادت قوة الشريحة وأكثر كفاءة في استخدام الطاقة.
